STMicroelectronics STB18N55M5

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

16A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

110W Tc

Turn Off Delay Time

29 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

MDmesh™ V

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

附加功能

ULTRA-LOW RESISTANCE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

245

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

STB18N

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

90W

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

192m Ω @ 8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1260pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

31nC @ 10V

上升时间

9.5ns

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

13 ns

连续放电电流(ID)

13A

阈值电压

4V

栅极至源极电压(Vgs)

25V

漏极-源极导通最大电阻

0.24Ohm

漏源击穿电压

550V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

52A

雪崩能量等级（Eas）

200 mJ

栅源电压

4 V

高度

4.6mm

长度

10.75mm

宽度

10.4mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅