STMicroelectronics STB18N60M2

工厂交货时间

26 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

13A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

110W Tc

Turn Off Delay Time

47 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

MDmesh™ II Plus

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电阻

280mOhm

终端形式

鸥翼

基本部件号

STB18N

JESD-30代码

R-PSSO-G2

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

110W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

12 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

280m Ω @ 6.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

791pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

21.5nC @ 10V

上升时间

9ns

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

10.6 ns

连续放电电流(ID)

13A

栅极至源极电压(Vgs)

25V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

52A

DS 击穿电压-最小值

600V

高度

4.6mm

长度

10.4mm

宽度

9.35mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅