STMicroelectronics STB19NM65N

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

15.5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

150W Tc

Turn Off Delay Time

80 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

MDmesh™ II

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

终端形式

鸥翼

基本部件号

STB19N

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

150W

接通延迟时间

25 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

270m Ω @ 7.75A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1900pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

55nC @ 10V

上升时间

8ns

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

26 ns

连续放电电流(ID)

15.5A

栅极至源极电压(Vgs)

25V

漏极-源极导通最大电阻

0.27Ohm

漏源击穿电压

650V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

62A

雪崩能量等级（Eas）

400 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant