STMicroelectronics STB200N6F3

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

120A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

330W Tc

Turn Off Delay Time

86 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

STripFET™

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

附加功能

ULTRA-LOW RESISTANCE

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

245

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STB200N

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

26 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.6m Ω @ 60A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6800pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

100nC @ 10V

上升时间

75ns

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

14 ns

连续放电电流(ID)

120A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

480A

DS 击穿电压-最小值

60V

雪崩能量等级（Eas）

918 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant