STB20NM60-1
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STMicroelectronics STB20NM60-1

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型号

STB20NM60-1

utmel 编号

2381-STB20NM60-1

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK

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STB20NM60-1 STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK

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STB20NM60-1详情

STMicroelectronics STB20NM60-1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    20A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    192W Tc

  • Turn Off Delay Time

    42 ns

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    MDmesh™

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电压 - 额定直流

    600V

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 额定电流

    20A

  • 基本部件号

    STB20N

  • 引脚数量

    3

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    192W

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    290m Ω @ 10A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1500pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    54nC @ 10V

  • 上升时间

    20ns

  • Vgs(最大值)

    ±30V

  • 下降时间(典型值)

    11 ns

  • 连续放电电流(ID)

    20A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    30V

  • 漏源击穿电压

    600V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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技术文档: STMicroelectronics STB20NM60-1.

STB20NM60-1拓展信息

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