STMicroelectronics STB21NK50Z

生命周期状态

NRND (Last Updated: 7 months ago)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

17A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

190W Tc

Turn Off Delay Time

70 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101, SuperMESH™

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电阻

270mOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

终端形式

鸥翼

基本部件号

STB21N

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

190W

接通延迟时间

28 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

270m Ω @ 8.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2600pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

119nC @ 10V

上升时间

20ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

15 ns

连续放电电流(ID)

17A

阈值电压

3.75V

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

500V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

68A

雪崩能量等级（Eas）

850 mJ

栅源电压

3.75 V

高度

4.6mm

长度

10.4mm

宽度

9.35mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅