STMicroelectronics STB24N60M6
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STB24N60M6
2381-STB24N60M6
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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NCHANNEL 600 V 105 MOHM TYP. 22
--最小包装量--
STB24N60M6详情
STMicroelectronics STB24N60M6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Operating Temperature (Min.)
-55°C
包装
Tape & Reel (TR)
系列
MDmesh™ M6
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
STB24N
JESD-30代码
R-PSSO-G2
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
漏源电压 (Vdss)
600V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
17A
漏极-源极导通最大电阻
0.19Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
52.5A
DS 击穿电压-最小值
600V
雪崩能量等级(Eas)
250 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STB24N60M6拓展信息
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