STB24N60M6
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STMicroelectronics STB24N60M6

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型号

STB24N60M6

utmel 编号

2381-STB24N60M6

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

NCHANNEL 600 V 105 MOHM TYP. 22

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STB24N60M6 STMicroelectronics NCHANNEL 600 V 105 MOHM TYP. 22

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STB24N60M6详情

STMicroelectronics STB24N60M6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    16 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

  • 表面安装

    YES

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    1

  • Operating Temperature (Min.)

    -55°C

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    MDmesh™ M6

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    2

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 基本部件号

    STB24N

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 漏源电压 (Vdss)

    600V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    17A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.19Ohm

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    52.5A

  • DS 击穿电压-最小值

    600V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    250 mJ

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: STMicroelectronics STB24N60M6.

STB24N60M6拓展信息

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