STMicroelectronics STB25NM50N-1

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

22A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

160W Tc

Turn Off Delay Time

75 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

系列

MDmesh™ II

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

电阻

140mOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

500V

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

22A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STB25N

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

160W

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

140m Ω @ 11A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2565pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

84nC @ 10V

上升时间

23ns

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

22 ns

连续放电电流(ID)

22A

栅极至源极电压(Vgs)

25V

漏源击穿电压

500V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

88A

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅