STMicroelectronics STB38N65M5

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

工厂交货时间

17 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

30A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

190W Tc

Turn Off Delay Time

66 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

MDmesh™ V

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

95MOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

245

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

STB38N

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

190W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

66 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

95m Ω @ 15A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3000pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

71nC @ 10V

上升时间

9ns

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

9 ns

连续放电电流(ID)

30A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

25V

漏源击穿电压

650V

雪崩能量等级（Eas）

660 mJ

高度

4.6mm

长度

10.4mm

宽度

9.35mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅