STMicroelectronics STB4NK60Z-1

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Turn Off Delay Time

29 ns

Power Dissipation (Max)

70W Tc

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

系列

SuperMESH™

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

基本部件号

STB4N

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

70W

接通延迟时间

12 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2 Ω @ 2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 50μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

510pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

26nC @ 10V

上升时间

9.5ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

16.5 ns

连续放电电流(ID)

4A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4A

漏极-源极导通最大电阻

2Ohm

漏源击穿电压

600V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

16A

雪崩能量等级（Eas）

120 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant