STMicroelectronics STB80NE06-10
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STB80NE06-10
2381-STB80NE06-10
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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STB80NE06-10
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STB80NE06-10详情
STMicroelectronics STB80NE06-10重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
RoHS
Non-Compliant
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-65 °C
元素配置
Single
功率耗散
150 W
上升时间
150 ns
连续放电电流(ID)
80 A
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
漏源击穿电压
60 V
漏源电阻
8.5 mΩ
STB80NE06-10拓展信息
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