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首页 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 STB80NE06-10
STB80NE06-10
STB80NE06-10

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STMicroelectronics STB80NE06-10

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型号

STB80NE06-10

品牌

STMicroelectronics

utmel 编号

2381-STB80NE06-10

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

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立即发货

ROHS

ECAD

简介

STB80NE06-10

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技术参数

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STMicroelectronics STB80NE06-10重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • RoHS

    Non-Compliant

  • 最高工作温度

    175 °C

  • 最小工作温度

    -65 °C

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    150 W

  • 上升时间

    150 ns

  • 连续放电电流(ID)

    80 A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20 V

  • 漏源击穿电压

    60 V

  • 漏源电阻

    8.5 mΩ

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技术文档: STMicroelectronics STB80NE06-10.

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS
优势产品

选择时请仔细核对商品参数信息

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