STMicroelectronics STB8NM60D

生命周期状态

NRND (Last Updated: 8 months ago)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

100W Tc

Turn Off Delay Time

26 ns

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

MDmesh™

JESD-609代码

e3

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电阻

1Ohm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

600V

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

245

额定电流

8A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

STB8N

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

100W

接通延迟时间

13 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1 Ω @ 2.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

380pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

18nC @ 10V

上升时间

10ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

8 ns

连续放电电流(ID)

8A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8A

漏源击穿电压

600V

雪崩能量等级（Eas）

200 mJ

高度

4.6mm

长度

10.4mm

宽度

9.35mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅