STMicroelectronics STBV45G

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

400V

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最大功率耗散

950mW

端子位置

BOTTOM

基本部件号

STBV45

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

950mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

400V

最大集电极电流

750mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

5 @ 400mA 5V

最大集极截止电流

250μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 135mA, 400mA

发射极基极电压 (VEBO)

9V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant