STMicroelectronics STD100N10F7

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

80A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

120W Tc

Turn Off Delay Time

46 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

DeepGATE™, STripFET™ VII

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

8MOhm

HTS代码

8541.29.00.95

终端形式

THROUGH-HOLE

基本部件号

STD10

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

120W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

27 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8m Ω @ 40A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4369pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

61nC @ 10V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

80A

阈值电压

4.5V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

100V

雪崩能量等级（Eas）

400 mJ

高度

2.4mm

长度

6.6mm

宽度

6.2mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅