STMicroelectronics STD100NH02LT4

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

60A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

100W Tc

Turn Off Delay Time

60 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

STripFET™ II

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电阻

4.8mOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

低阈值

电压 - 额定直流

24V

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

60A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

STD10

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

100W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.8m Ω @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.8V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3940pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

84nC @ 10V

上升时间

200ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

35 ns

连续放电电流(ID)

60A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

24V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

240A

雪崩能量等级（Eas）

800 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅