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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥7.646697
10
¥7.213861
100
¥6.805534
500
¥6.420311
1000
¥6.0569
STMicroelectronics STD10N60M6
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- 对比
STD10N60M6
2381-STD10N60M6
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Transistor MOSFET N-Channel 600V 6.4A 3-Pin D2PAK T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
STD10N60M6详情
STMicroelectronics STD10N60M6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
Through Hole, Right Angle
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件包装
D-PAK (TO-252)
房屋材料
Polyamide (PA9T), Nylon 9T
外壳材料,完成
Steel, Nickel Plated
Lead Free Status / RoHS Status
--
Voltage, Rating
125V
Contact Materials
磷青铜
Continuous Drain Current Id
6.4
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
2500
Manufacturer
STMicroelectronics
Brand
STMicroelectronics
Tradename
MDmesh
RoHS
Details
Package
Tape & Reel (TR)
Base Product Number
STD10
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
6.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
厂商
STMicroelectronics
Power Dissipation (Max)
60W (Tc)
Product Status
活跃
操作温度
-55°C ~ 105°C
系列
AMPLIMITE HD-22
包装
Tray
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
--
终端
Solder
连接器类型
Receptacle, Female Sockets
定位的数量
15
颜色
Black
行数
3
子类别
MOSFETs
触点类型
Signal
技术
Si
入口保护
--
额定电流
2A
触点表面处理
Gold
线规
--
法兰特性
Housing/Shell (4-40)
连接器样式
D-Sub, High Density
功率耗散
60
触点形式
--
外壳尺寸,连接器布局
1 (DE, E) High Density
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
600mOhm @ 3.2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.75V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
338 pF @ 100 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
8.8 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
600 V
Vgs(最大值)
±25V
产品类别
MOSFET
信道型
N通道
后退间距
0.350 (8.89mm)
场效应管特性
-
特征
--
产品类别
MOSFET
触点表面处理厚度
30.0µin (0.76µm)
材料可燃性等级
UL94 V-0
STD10N60M6拓展信息
STMicroelectronics
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