STD10N60M6
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STMicroelectronics STD10N60M6

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型号

STD10N60M6

utmel 编号

2381-STD10N60M6

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

交货地

大陆

交期(工作日)

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ROHS

ECAD

简介

Transistor MOSFET N-Channel 600V 6.4A 3-Pin D2PAK T/R

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STD10N60M6
STD10N60M6 STMicroelectronics Transistor MOSFET N-Channel 600V 6.4A 3-Pin D2PAK T/R

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STD10N60M6详情

STMicroelectronics STD10N60M6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    Through Hole, Right Angle

  • 包装/外壳

    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

  • 供应商器件包装

    D-PAK (TO-252)

  • 房屋材料

    Polyamide (PA9T), Nylon 9T

  • 外壳材料,完成

    Steel, Nickel Plated

  • Lead Free Status / RoHS Status

    --

  • Voltage, Rating

    125V

  • Contact Materials

    磷青铜

  • Continuous Drain Current Id

    6.4

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    2500

  • Manufacturer

    STMicroelectronics

  • Brand

    STMicroelectronics

  • Tradename

    MDmesh

  • RoHS

    Details

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • Base Product Number

    STD10

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    6.4A (Tc)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • 厂商

    STMicroelectronics

  • Power Dissipation (Max)

    60W (Tc)

  • Product Status

    活跃

  • 操作温度

    -55°C ~ 105°C

  • 系列

    AMPLIMITE HD-22

  • 包装

    Tray

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    --

  • 终端

    Solder

  • 连接器类型

    Receptacle, Female Sockets

  • 定位的数量

    15

  • 颜色

    Black

  • 行数

    3

  • 子类别

    MOSFETs

  • 触点类型

    Signal

  • 技术

    Si

  • 入口保护

    --

  • 额定电流

    2A

  • 触点表面处理

    Gold

  • 线规

    --

  • 法兰特性

    Housing/Shell (4-40)

  • 连接器样式

    D-Sub, High Density

  • 功率耗散

    60

  • 触点形式

    --

  • 外壳尺寸,连接器布局

    1 (DE, E) High Density

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    600mOhm @ 3.2A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4.75V @ 250µA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    338 pF @ 100 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    8.8 nC @ 10 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    600 V

  • Vgs(最大值)

    ±25V

  • 产品类别

    MOSFET

  • 信道型

    N通道

  • 后退间距

    0.350 (8.89mm)

  • 场效应管特性

    -

  • 特征

    --

  • 产品类别

    MOSFET

  • 触点表面处理厚度

    30.0µin (0.76µm)

  • 材料可燃性等级

    UL94 V-0

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技术文档: STMicroelectronics STD10N60M6.

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