STMicroelectronics STD10PF06-1

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

40W Tc

Turn Off Delay Time

40 ns

操作温度

175°C TJ

包装

Tube

系列

STripFET™ II

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

200mOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-60V

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-10A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

STD10

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

40W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

20 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

200m Ω @ 5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

850pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

21nC @ 10V

上升时间

40ns

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

10 ns

连续放电电流(ID)

10A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

-60V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

40A

高度

6.2mm

长度

6.6mm

宽度

2.4mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅