STMicroelectronics STD16NF25
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STD16NF25
2381-STD16NF25
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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MOSFET N-Channel 250V Pwr Mosfet
--最小包装量--
STD16NF25详情
STMicroelectronics STD16NF25重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
14A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
100W Tc
Turn Off Delay Time
35 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
STripFET™ II
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
电阻
235mOhm
端子表面处理
哑光锡
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
STD16
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
100W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
9 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
235m Ω @ 6.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
680pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
18nC @ 10V
上升时间
17ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
17 ns
连续放电电流(ID)
13A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
250V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
52A
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STD16NF25拓展信息
STMicroelectronics
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