STMicroelectronics STD25NF20

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

18A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

110W Tc

Turn Off Delay Time

40 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

Automotive, AEC-Q101, STripFET™

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

终端形式

鸥翼

基本部件号

STD25N

JESD-30代码

R-PSSO-G2

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

110W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

15 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

125m Ω @ 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

940pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

39nC @ 10V

上升时间

30ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

10 ns

连续放电电流(ID)

18A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

200V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

72A

最大结点温度（Tj）

175°C

高度

2.63mm

长度

6.6mm

宽度

6.2mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅