STMicroelectronics STD3NK50Z-1

生命周期状态

NRND (Last Updated: 8 months ago)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.3A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

45W Tc

Turn Off Delay Time

24 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

SuperMESH™

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

STD3N

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

45W

接通延迟时间

8 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.3 Ω @ 1.15A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 50μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

280pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

15nC @ 10V

上升时间

13ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

14 ns

连续放电电流(ID)

1.15A

阈值电压

3.75V

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

500V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

9.2A

栅源电压

3.75 V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant