STMicroelectronics STD3NM50T4

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

46W Tc

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

MDmesh™

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

550V

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

3A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

STD3N

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

46W

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3 Ω @ 1.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

140pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

5.5nC @ 10V

上升时间

10ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

9 ns

连续放电电流(ID)

3A

JEDEC-95代码

TO-252AA

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3A

漏极-源极导通最大电阻

3Ohm

漏源击穿电压

550V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

12A

雪崩能量等级（Eas）

130 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅