STMicroelectronics STD3PK50Z

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

制造商包装标识符

DPAK-0068772_A

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.8A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

70W Tc

Turn Off Delay Time

46 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

SuperMESH™

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电阻

3Ohm

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

STD3N

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

85W

接通延迟时间

16 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4 Ω @ 1.4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

620pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20nC @ 10V

上升时间

15ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

26 ns

连续放电电流(ID)

2.8A

阈值电压

-3.75V

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

500V

最大结点温度（Tj）

150°C

栅源电压

3.75 V

高度

2.63mm

长度

6.6mm

宽度

2.4mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅