STMicroelectronics STD5N20LT4

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

33W Tc

Turn Off Delay Time

14 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

STripFET™

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

700mOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

电压 - 额定直流

200V

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

5A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

STD5N

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

33W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

11.5 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

700m Ω @ 2.5A, 5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 50μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

242pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6nC @ 5V

上升时间

21.5ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

15.5 ns

连续放电电流(ID)

5A

阈值电压

2.5V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5A

漏源击穿电压

200V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

20A

双电源电压

200V

最大结点温度（Tj）

150°C

栅源电压

2.5 V

高度

2.63mm

长度

6.6mm

宽度

6.2mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅