STMicroelectronics STD78N75F4

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

78A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

125W Tc

Turn Off Delay Time

61 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

DeepGATE™, STripFET™

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

基本部件号

STD78N

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

25 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

11m Ω @ 35A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5015pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

76nC @ 10V

上升时间

33ns

漏源电压 (Vdss)

75V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

14 ns

连续放电电流(ID)

70A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.011Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

280A

DS 击穿电压-最小值

75V

雪崩能量等级（Eas）

185 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅