STMicroelectronics STD8NM60N-1

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

70W Tc

Turn Off Delay Time

40 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

MDmesh™ II

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

通孔

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

STD8N

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

70W

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

650m Ω @ 3.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

560pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

19nC @ 10V

上升时间

12ns

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

10 ns

连续放电电流(ID)

3.5A

栅极至源极电压(Vgs)

25V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

7A

漏极-源极导通最大电阻

0.65Ohm

漏源击穿电压

600V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

28A

双电源电压

600V

雪崩能量等级（Eas）

200 mJ

栅源电压

3 V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant