STMicroelectronics STE30NK90Z
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STE30NK90Z
2381-STE30NK90Z
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
ISOTOP
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MOSFET N-CH 900V 28A ISOTOP
1最小包装量--
STE30NK90Z详情
STMicroelectronics STE30NK90Z重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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底架
Chassis Mount, Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
ISOTOP
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
28A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
500W Tc
Turn Off Delay Time
250 ns
操作温度
-65°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
SuperMESH™
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
电阻
260mOhm
端子表面处理
Nickel (Ni)
附加功能
HIGH VOLTAGE
电压 - 额定直流
900V
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
额定电流
30A
基本部件号
STE30
引脚数量
4
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
500W
箱体转运
ISOLATED
接通延迟时间
67 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
260m Ω @ 14A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 150μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
12000pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
490nC @ 10V
上升时间
59ns
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
72 ns
连续放电电流(ID)
14A
栅极至源极电压(Vgs)
30V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
28A
漏源击穿电压
900V
雪崩能量等级(Eas)
500 mJ
高度
9.1mm
长度
38.2mm
宽度
25.5mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STE30NK90Z拓展信息
STMicroelectronics
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