STMicroelectronics STE45NK80ZD

底架

底座安装

安装类型

底座安装

包装/外壳

ISOTOP

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

45A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

600W Tc

Turn Off Delay Time

350 ns

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

SuperFREDmesh™

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

NICKEL

电压 - 额定直流

800V

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

45A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STE45

引脚数量

4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

600W

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

130m Ω @ 22.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 150μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

26000pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

781nC @ 10V

上升时间

128ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

174 ns

连续放电电流(ID)

45A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.13Ohm

漏源击穿电压

800V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

180A

雪崩能量等级（Eas）

1200 mJ

栅源电压

3.75 V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅