STMicroelectronics STE50DE100
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STE50DE100
2381-STE50DE100
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
ISOTOP
大陆
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TRANS NPN 1000V 50A ISOTOP
1最小包装量--
STE50DE100详情
STMicroelectronics STE50DE100重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
底座安装
安装类型
底座安装
包装/外壳
ISOTOP
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
1kV
Number of Elements
1
hFEMin
3
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel (Ni)
电压 - 额定直流
1kV
最大功率耗散
400W
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
额定电流
50A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
STE50
引脚数量
4
资历状况
不合格
极性
NPN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN FET AND DIODE
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
NPN - Emitter Switched Bipolar
最大集电极电流
50A
电压 - 集射极击穿(最大值)
1000V
最小直流增益(hFE)
3
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STE50DE100拓展信息















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