STMicroelectronics STF11NM60N

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

25W Tc

Turn Off Delay Time

50 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

系列

MDmesh™ II

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

电压 - 额定直流

600V

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

10A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STF11

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

25W

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

450m Ω @ 5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

850pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

31nC @ 10V

上升时间

18.5ns

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

12 ns

连续放电电流(ID)

10A

阈值电压

3V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

25V

漏极-源极导通最大电阻

0.45Ohm

漏源击穿电压

600V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

40A

雪崩能量等级（Eas）

200 mJ

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅