STMicroelectronics STF2N80K5
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STF2N80K5
2381-STF2N80K5
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3 Full Pack
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MOSFET N-CH 800V 2A TO220FP
--最小包装量--
STF2N80K5详情
STMicroelectronics STF2N80K5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
工厂交货时间
17 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
引脚数
3
质量
329.988449mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
20W Tc
Turn Off Delay Time
19 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
SuperMESH5™
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
基本部件号
STF2N
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
20W
箱体转运
ISOLATED
接通延迟时间
8 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.5 Ω @ 1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 100μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
95pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
3nC @ 10V
连续放电电流(ID)
2A
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
30V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
2A
漏源击穿电压
800V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
8A
雪崩能量等级(Eas)
60.5 mJ
高度
16.4mm
长度
10.4mm
宽度
4.6mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STF2N80K5拓展信息
STMicroelectronics
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