STMicroelectronics STF34NM60N

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

31.5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

40W Tc

Turn Off Delay Time

106 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

MDmesh™ II

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

105MOhm

基本部件号

STF34N

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

40W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

17 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

105m Ω @ 14.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2722pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

84nC @ 10V

上升时间

34ns

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

70 ns

连续放电电流(ID)

29A

阈值电压

3V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

25V

漏源击穿电压

600V

高度

16.4mm

长度

10.4mm

宽度

4.6mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅