STMicroelectronics STF3N80K5
- 收藏
- 对比
STF3N80K5
2381-STF3N80K5
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3 Full Pack
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220FP
1最小包装量--
STF3N80K5详情
STMicroelectronics STF3N80K5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
17 Weeks
安装类型
通孔
底架
通孔
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
引脚数
3
质量
329.988449mg
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2.5A Tc
Power Dissipation (Max)
20W Tc
Turn Off Delay Time
20.5 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
5V @ 100μA
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
SuperMESH5™
零件状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
基本部件号
STF3N
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
接通延迟时间
8.5 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.5 Ω @ 1A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
130pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
9.5nC @ 10V
上升时间
7.5ns
下降时间(典型值)
25 ns
连续放电电流(ID)
2.5A
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏源击穿电压
800V
雪崩能量等级(Eas)
65 mJ
长度
10.4mm
高度
16.4mm
宽度
4.6mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STF3N80K5拓展信息
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics









哦! 它是空的。