STMicroelectronics STF6N65K3

工厂交货时间

12 Weeks

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4.5V @ 50μA

Turn Off Delay Time

54 ns

Power Dissipation (Max)

30W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5.4A Tc

系列

SuperMESH3™

包装

Tube

操作温度

150°C TJ

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

1.3Ohm

附加功能

ULTRA LOW-ON RESISTANCE

基本部件号

STF6N

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

30W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

14 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.3 Ω @ 2.8A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

880pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

35nC @ 10V

上升时间

15ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

22 ns

连续放电电流(ID)

5.4A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

650V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

无铅

无铅