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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥22.369138
10
¥21.102963
100
¥19.908452
500
¥18.781563
1000
¥17.718449
STMicroelectronics STF8N65M5
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- 对比
STF8N65M5
2381-STF8N65M5
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3 Full Pack
大陆
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MOSFET N-Ch 650V 0.56 Ohm 7A MDmesh V PWR MO
--最小包装量--
¥
总价: ¥
STF8N65M5详情
STMicroelectronics STF8N65M5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
工厂交货时间
17 Weeks
触点镀层
Tin
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
引脚数
3
供应商器件包装
TO-220FP
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
7A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
25W Tc
Turn Off Delay Time
20 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
系列
MDmesh™ V
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电阻
600MOhm
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
基本部件号
STF8N
元素配置
Single
功率耗散
25W
接通延迟时间
50 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
600mOhm @ 3.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
690pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
15nC @ 10V
上升时间
14ns
漏源电压 (Vdss)
650V
Vgs(最大值)
±25V
下降时间(典型值)
11 ns
连续放电电流(ID)
7A
阈值电压
4V
栅极至源极电压(Vgs)
25V
漏源击穿电压
650V
输入电容
690pF
漏源电阻
560mOhm
最大rds
600 mΩ
高度
16.4mm
长度
10.4mm
宽度
4.6mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STF8N65M5拓展信息
STMicroelectronics
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