STMicroelectronics STFI11NM65N

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Full Pack, I2Pak

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

11 ns

Power Dissipation (Max)

25W Tc

操作温度

150°C TJ

系列

MDmesh™ II

包装

Tube

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

基本部件号

STFI11N

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

25W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

15.5 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

455m Ω @ 5.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

800pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

29nC @ 10V

上升时间

10.8ns

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

47 ns

连续放电电流(ID)

11A

JEDEC-95代码

TO-281

栅极至源极电压(Vgs)

25V

漏极-源极导通最大电阻

0.455Ohm

漏源击穿电压

650V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

44A

雪崩能量等级（Eas）

147 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无