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STMicroelectronics STFILED524

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型号

STFILED524

utmel 编号

2381-STFILED524

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-262-3 Full Pack, I2Pak

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 525V 4A I2PAK

起订量

1最小包装量--

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STFILED524 STMicroelectronics MOSFET N-CH 525V 4A I2PAK

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STFILED524详情

STMicroelectronics STFILED524重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    42 Weeks

  • 包装/外壳

    TO-262-3 Full Pack, I2Pak

  • 安装类型

    通孔

  • 底架

    通孔

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Turn Off Delay Time

    21 ns

  • Power Dissipation (Max)

    20W Tc

  • Number of Elements

    1

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    4A Tc

  • 包装

    Tube

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • 端子位置

    SINGLE

  • 基本部件号

    STFILE

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 接通延迟时间

    8 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    2.6 Ω @ 2.2A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4.5V @ 50μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    340pF @ 100V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    12nC @ 10V

  • 上升时间

    7ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    525V

  • Vgs(最大值)

    ±30V

  • 下降时间(典型值)

    14 ns

  • 连续放电电流(ID)

    4A

  • JEDEC-95代码

    TO-281

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    30V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    4A

  • DS 击穿电压-最小值

    525V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    110 mJ

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 辐射硬化

0个相似型号

STFILED524拓展信息

STP12NM50FP
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STW45NM60
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STP11NK50ZFP
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STD10NF10T4
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