STMicroelectronics STFW38N65M5
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STFW38N65M5
2381-STFW38N65M5
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
ISOWATT218FX
大陆
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MOSFET N-CH 650V 30A TO-3PF
--最小包装量--
STFW38N65M5详情
STMicroelectronics STFW38N65M5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
ISOWATT218FX
引脚数
3
质量
6.961991g
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
30A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
57W Tc
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
系列
MDmesh™ V
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
附加功能
超低电阻
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
STFW
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
95m Ω @ 15A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3000pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
71nC @ 10V
上升时间
9ns
Vgs(最大值)
±25V
下降时间(典型值)
9 ns
连续放电电流(ID)
30A
栅极至源极电压(Vgs)
25V
漏极-源极导通最大电阻
0.095Ohm
漏源击穿电压
650V
雪崩能量等级(Eas)
660 mJ
高度
26.7mm
长度
15.7mm
宽度
5.7mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STFW38N65M5拓展信息
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