STMicroelectronics STFW6N120K3

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

ISOWATT218FX

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

63W Tc

Turn Off Delay Time

58 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

SuperMESH3™

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

2.4Ohm

基本部件号

STFW

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

150W

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.4 Ω @ 2.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1050pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

34nC @ 10V

上升时间

12ns

漏源电压 (Vdss)

1200V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

32 ns

连续放电电流(ID)

6A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6A

漏源击穿电压

1.2kV

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

20A

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅