STMicroelectronics STG3P2M10N60B

底架

Chassis Mount, Through Hole

安装类型

底座安装

包装/外壳

SEMITOP®2

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Number of Elements

6

Turn Off Delay Time

72 ns

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Bulk

系列

SEMITOP®

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

16

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

600V

最大功率耗散

56W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

额定电流

19A

基本部件号

STG3P2

引脚数量

16

JESD-30代码

R-XUFM-X16

配置

三相逆变器

接通延迟时间

18.5 ns

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

单相桥式整流器

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

19A

最大集极截止电流

10μA

输入电容

720pF

接通时间

27 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.5V @ 15V, 7A

关断时间-标准值（toff)

99 ns

NTC热敏电阻

无

栅极-发射极电压-最大值

20V

输入电容(Cies)@Vce

0.72nF @ 25V

VCEsat-最大值

2.5 V

高度

12.2mm

长度

40.8mm

宽度

28.2mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅