STMicroelectronics STI30N65M5

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

22A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

140W Tc

Turn Off Delay Time

50 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

系列

MDmesh™ V

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

雪崩能源评级

端子位置

SINGLE

基本部件号

STI30N

引脚数量

3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

140W

接通延迟时间

50 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

139m Ω @ 11A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2880pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

64nC @ 10V

上升时间

8ns

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

10 ns

连续放电电流(ID)

22A

阈值电压

4V

栅极至源极电压(Vgs)

25V

漏源击穿电压

650V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

88A

雪崩能量等级（Eas）

500 mJ

高度

10.75mm

长度

10.4mm

宽度

4.6mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant