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'sti42n65m5'

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

生命周期状态

底架

安装类型

包装/外壳

引脚数

晶体管元件材料

操作温度

包装

系列

JESD-609代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

基本部件号

引脚数量

元素配置

操作模式

功率耗散

接通延迟时间

场效应管类型

晶体管应用

Rds On(Max)@Id,Vgs

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

上升时间

Vgs(最大值)

下降时间(典型值)

连续放电电流(ID)

阈值电压

栅极至源极电压(Vgs)

漏极-源极导通最大电阻

漏源击穿电压

雪崩能量等级(Eas)

栅源电压

高度

长度

宽度

辐射硬化

达到SVHC

RoHS状态

无铅

STI42N65M5
STI42N65M5
STMicroelectronics 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

17 Weeks

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

通孔

通孔

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

3

SILICON

33A Tc

10V

1

190W Tc

65 ns

-55°C~150°C TJ

Tube

MDmesh™ V

e3

活跃

1 (Unlimited)

3

EAR99

Tin (Sn)

STI42N

3

Single

增强型MOSFET

190W

61 ns

N-Channel

SWITCHING

79m Ω @ 16.5A, 10V

5V @ 250μA

4650pF @ 100V

100nC @ 10V

24ns

±25V

13 ns

33A

4V

25V

0.079Ohm

650V

950 mJ

4 V

9.35mm

10.4mm

4.6mm

无SVHC

ROHS3 Compliant

无铅