STMicroelectronics STI8N65M5

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

70W Tc

Turn Off Delay Time

50 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

系列

MDmesh™ V

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

ULTRA-LOW RESISTANCE

端子位置

SINGLE

基本部件号

STI8

引脚数量

3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

70W

接通延迟时间

50 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

600m Ω @ 3.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

690pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

15nC @ 10V

上升时间

14ns

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

11 ns

连续放电电流(ID)

7A

阈值电压

4V

栅极至源极电压(Vgs)

25V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

7A

漏极-源极导通最大电阻

0.6Ohm

漏源击穿电压

650V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

28A

雪崩能量等级（Eas）

120 mJ

栅源电压

4 V

高度

10.75mm

长度

10.4mm

宽度

4.6mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant