STMicroelectronics STL10N65M2
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STL10N65M2
2381-STL10N65M2
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerVDFN
大陆
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Mosfet N-ch 650V Powerflat 5X6 H
--最小包装量--
STL10N65M2详情
STMicroelectronics STL10N65M2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
26 Weeks
包装/外壳
8-PowerVDFN
安装类型
表面贴装
引脚数
8
Power Dissipation (Max)
48W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4.5A Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
STL10
通道数量
1
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1 Ω @ 2.5A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
315pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
10.3nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
650V
Vgs(最大值)
±25V
栅极至源极电压(Vgs)
25V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STL10N65M2拓展信息
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