STMicroelectronics STL210N4F7

触点镀层

Lead, Tin

底架

通孔

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

供应商器件包装

PowerFlat™ (5x6)

RoHS

Compliant

Continuous Drain Current Id

120

Package

Bulk

Base Product Number

STL210

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

120A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

STMicroelectronics

Power Dissipation (Max)

150W (Tc)

Product Status

活跃

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

3000

Manufacturer

STMicroelectronics

Brand

STMicroelectronics

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

STripFET F7

容差

0.1 %

终止次数

2

温度系数

25 ppm/°C

电阻

1.54 kΩ

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

组成

Metal Film

子类别

MOSFETs

额定功率

125 mW

最大功率耗散

125 mW

技术

MOSFET (Metal Oxide)

军用标准

MIL-PRF-55182

失败率

0.001 %

功率耗散

150

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.6mOhm @ 16A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3600 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

43 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

40 V

Vgs（最大值）

±20V

产品类别

MOSFET

场效应管特性

-

特征

Military, Moisture Resistant, Weldable

产品类别

MOSFET

宽度

2.39 mm

长度

6.35 mm

直径

2.39 mm

无铅

含铅