STMicroelectronics STL210N4F7

触点镀层

Lead, Tin

底架

通孔

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

供应商器件包装

PowerFlat™ (5x6)

RoHS

Compliant

Continuous Drain Current Id

120

Package

Bulk

Base Product Number

STL210

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

120A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

STMicroelectronics

Power Dissipation (Max)

150W (Tc)

Product Status

活跃

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

3000

Manufacturer

STMicroelectronics

Brand

STMicroelectronics

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

STripFET F7

容差

0.1 %

终止次数

2

温度系数

25 ppm/°C

电阻

1.54 kΩ

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

组成

Metal Film

子类别

MOSFETs

额定功率

125 mW

最大功率耗散

125 mW

技术

MOSFET (Metal Oxide)

军用标准

MIL-PRF-55182

失败率

0.001 %

功率耗散

150

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.6mOhm @ 16A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3600 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

43 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

40 V

Vgs（最大值）

±20V

产品类别

MOSFET

场效应管特性

-

特征

Military, Moisture Resistant, Weldable

产品类别

MOSFET

宽度

2.39 mm

长度

6.35 mm

直径

2.39 mm

无铅

含铅