STMicroelectronics STL3NM60N
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STL3NM60N
2381-STL3NM60N
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerVDFN
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MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT
--最小包装量--
STL3NM60N详情
STMicroelectronics STL3NM60N重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerVDFN
引脚数
8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
650mA Ta 2.2A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2W Ta 22W Tc
Turn Off Delay Time
20.8 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
MDmesh™ II
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
电阻
1.8Ohm
基本部件号
STL3
功率耗散
2W
接通延迟时间
8.6 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.8 Ω @ 1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
188pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
9.5nC @ 10V
上升时间
6.2ns
Vgs(最大值)
±25V
下降时间(典型值)
20 ns
连续放电电流(ID)
2.2A
阈值电压
3V
栅极至源极电压(Vgs)
25V
漏源击穿电压
600V
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STL3NM60N拓展信息
STMicroelectronics
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