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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥89.367685
10
¥84.309139
100
¥79.536917
500
¥75.03483
1000
¥70.787576
STMicroelectronics STL42N65M5
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- 对比
STL42N65M5
2381-STL42N65M5
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerVDFN
大陆
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MOSFET N-Ch 650V 0.070Ohm 34A Mdmesh V
--最小包装量--
¥
总价: ¥
STL42N65M5详情
STMicroelectronics STL42N65M5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerVDFN
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4A Ta 34A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
3W Ta 208W Tc
操作温度
150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
MDmesh™ V
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
电阻
79MOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
基本部件号
STL42
引脚数量
5
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
208W
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
79m Ω @ 16.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4650pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
100nC @ 10V
Vgs(最大值)
±25V
连续放电电流(ID)
34A
栅极至源极电压(Vgs)
25V
漏源击穿电压
650V
雪崩能量等级(Eas)
950 mJ
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STL42N65M5拓展信息
STMicroelectronics
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