STMicroelectronics STL42N65M5

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

3W Ta 208W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 250μA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4A Ta 34A Tc

Number of Elements

1

系列

MDmesh™ V

操作温度

150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

JESD-609代码

e3

零件状态

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

电阻

79MOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

基本部件号

STL42

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

208W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

79m Ω @ 16.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4650pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

100nC @ 10V

Vgs（最大值）

±25V

连续放电电流(ID)

34A

栅极至源极电压(Vgs)

25V

漏源击穿电压

650V

雪崩能量等级（Eas）

950 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅